Sodimm ddr3 и ddr3l различие. Разница между оперативной памятью DDR3 и DDR3L: сравнительный анализ

DDR3 vs DDR4. Кто круче?

Добрый день, уважаемые читатели. У многих возникает вопрос, какую оперативную память выбрать DDR3 или DDR4 ? В чем отличие между ними и что лучше подходит для игр? Сегодня мы разберемся во всех этих вопросах и затронем сопутствующие вопросы по этой теме. Мы, конечно, уже разбирались в вопросе, но сегодня подробнее остановимся именно на этих двух типах памяти. Почему? Потому что не все могут с легкостью определиться в выборе. Мы поможем!

Как известно, технология DDR4 появилась на рынке вместе с процессорами 6-го поколения от Интел под кодовым названием SkyLake (небесное озеро). Соответственно использовать DDR4 желательно только с новыми процессорами 6-го и 7-го поколения (и выше).

А вот с какого поколения процессоры начнут поддерживать пока не известно.

Чем отличается DDR3 от DDR4?

Вы, скорее всего, знаете, что оперативная память развивается не так быстро, как процессоры. Новое поколение процессоров выходит практически каждый год, а вот оперативная память DDR3 прочно оккупировала рынок уже с далекого 2007 года. Точнее в 2007 она появилась, а в 2010 вытеснила DDR2. Теперь давайте поговорим про основные отличия памяти DDR4 от предыдущего поколения.

Технически, конечно же, новое поколение оперативной памяти более совершенно (спасибо кэп =D). Во-первых, снижено энергопотребление (и теплоотдача соответственно). Планка памяти DDR3 имела напряжение 1,5-2 Вольта, а у DDR4 напряжение снижено до 1,05-1,2 Вольта. Хотя это больше ощутимо для серверов, чем для домашних зверьков. Во-вторых, увеличен частотный диапазон. DDR3 работал на частотах от 800Мгц до 2933Мгц, а DDR4 начинает диапазон на частоте 2133Мгц и заканчивает пока на 4400Мгц , но, видимо, это еще не предел. Судите сами, насколько значительнее будет разница в производительности такой памяти.

DDR3 – от 800 до 2933Мгц

DDR4 – от 2133 до 4400Мгц+

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4 или наоборот?

Многие люди задаются вопросом совместимости этих двух типов оперативной памяти. Ну какая может быть совместимость DDR3 и DDR4? О чем вы вообще? Если вы посмотрите внимательно на форму самих планок ОЗУ, то вы увидите, что они немного отличаются. Каждое поколение ОЗУ (DDR, DDR2, DDR3 и DDR4) специального немного отличается от остальных. Выемка (ключ), которая расположена на стороне с контактами, на каждом типе памяти находится в разном месте, тем самым препятствуя попыткам вставить планку не в свое гнездо.

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4?

Вставить планку ОЗУ DDR3 в слот DDR4 нельзя!
Вставить планку ОЗУ DDR4 в слот DDR3 нельзя, соответственно, тоже!

Есть, правда, один нюанс. Бывает такое, что материнская плата имеет отдельные слоты под память DDR3 и под DDR4. Допустим, вы решили апгрейдить компьютер. Извлекаете память DDR3 из своих слотов и вставляете DDR4 в ДРУГИЕ слоты , в те, которые предназначены именно для оперативки DDR4 . По-другому никак!

Если вы вдруг осознали, что вам не хватает ОЗУ на компьютере, то ознакомьтесь с нашими советами на этот счет в статье, которая поможет физически и не только.

DDR3 или DDR4, что лучше?

Вопрос с подвохом. Вроде бы уже все выяснили, что DDR4 новее, быстрее и экономичнее, а тут такой вопрос. И все же давайте выясним, что лучше?

А подвох тут вот в чем! Если взять, например, DDR3 2400Мгц и DDR4 2400Мгц , то в этой схватке одержит победу….. одержит победу… отгадайте кто?… DDR3 ! Почему так происходит? В ОЗУ существует такая характеристика как тайминг задержки. Выглядит она примерно так 9-9-9-24 или 9-10-10-24. В общем, чем этот показатель ниже, тем выше скорость оперативной памяти.

И случилось так, что в силу своей архитектуры DDR4 имеет тайминги выше, чем у DDR3. Именно поэтому при одинаковых частотах в тестах DDR4 немножко проигрывает памяти DDR3. Но стоит только взять память DDR4 с частотой 3200 или 4000 Мгц, как вы заметите огромную разницу в пользу DDR4!

Вот теперь и думайте, что лучше DDR3 или DDR4? Все зависит от многих факторов. Например, какую частоту оперативной памяти поддерживает ваша , есть ли в ней потенциал для дальнейшего .

Лучшая оперативная память (из DDR3 и DDR4)

Давайте заглянем в несколько интернет магазинов и попробуем определить какие планки (наборы) ОЗУ могут претендовать на звание «Лучшая оперативная память » в текущем 2018 году. Мы рассмотрим лучших представителей из DDR3 и DDR4 типов и приведем в таблице основные параметры и фирму-производителя. Смотрите и анализируйте.

DDR4

Производитель, модель	Объем	Частота, MHz	Производи-тельность на планку	Производи-тельность на комплект	Цена комплекта, рублей
Corsair CMW64GX4M4C3466C16W	4 x 16Gb (64Gb)	3466	216,6	866,5	56940
CORSAIR Vengeance LPX CMK16GX4M2F4600C19	2 x 8Gb (16Gb)	4600	242.1	484.2	43000
CORSAIR Vengeance RGB Pro CMW16GX4M2K4000C19	2 x 8Gb (16Gb)	4000	210.5	421	21490
CRUCIAL Ballistix Elite BLE2K8G4D36BEEAK	2 x 8Gb (16Gb)	3600	225	450	14800
CRUCIAL Ballistix Sport LT BLS2K8G4D30AESBK	2 x 8Gb (16Gb)	3000	200	400	6950
Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K2/32	2 x 16Gb (32Gb)	3000	200	400	15600
CORSAIR Vengeance LPX CMK16GX4M2Z2400C16	2 x 8Gb (16Gb)	2400	150	300	6470
Corsair CMK32GX4M2F4000C19	2 x 16Gb (32Gb)	4000	210,5	421	33360
Corsair CMK16GX4M2F4400C19	2 x 8Gb (16Gb)	4400	231,6	463,2	29690

DDR3

Исходя из приведенных в таблицах данных, не скажу, что выбор между двумя поколениями оперативной памяти стал более очевиден. Все осталось так же неявно, как и было. В DDR4 увеличились частоты, но вместе с ними увеличились и тайминги задержки. Если не понятно, как вычислялась производительность, то в статье про вы сможете узнать об этом расчете подробнее. Конечно же, этот коэффициент не идеален, но это лучше, чем ничего.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 и DDR3L

В общем, единственным отличием между DDR3 и DDR3L является то, что DDR3 работает под напряжением 1,5 Вольт, а DDR3L – 1,35 Вольт. То есть она немного экономней. Про совместимость и взаимозаменяемость можно сказать следующее – можно вставить DDR3L в слот DDR3, все подойдет и будет работать. Также в большинстве случаев DDR3 и DDR3L смогут работать одновременно, но не всегда. Если хотите сэкономить, то только на свой страх и риск.

Вы дочитали до самого конца?

Была ли эта статья полезной?

Да Нет

Что именно вам не понравилось? Статья была неполной или неправдивой?
Напишите в клмментариях и мы обещаем исправиться!

Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.

С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.
Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;

DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;

DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;

DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в , сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как выбрать оперативную память: видео

Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, - это микросхемы для оперативного или временного хранения информации . Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст

В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM - Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны - когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный - 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят - регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM - Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса - переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей - печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа - SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module - означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM - модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез - ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти - объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency - задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько - иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются , используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 - частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП . Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой - закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается .

DDR - 2, 5 В.
DDR2 - 1, 8 В.
DDR3 - 1, 5 В.
DDR4 - 1, 2 В.

В чем отличие DDR3 и DDR3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L - это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот - нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

Разница между DDR3L и DDR3 заключается в энергопотреблении:

DDR3L подходит для настольных ПК на чипсетах нового поколения Intel 3 Series, с питанием 1.35В.
DDR3 - для устройств с напряжением 1.5В.

Экономия энергии DDR3L достигает до 15% относительно обычного модуля ОЗУ - DDR3, и 40% – DDR2 (1.8В). Но функциональные характеристики DDR3L сопоставимы с возможностями DDR3.

Критерии выбора

Скорость действия памяти определяется частотой и таймингами. С ее увеличением повышается производительность мощных профессиональных или игровых ПК. Конструктивно устройство представлено 2-мя отдельными модулями, поставляемыми в отдельных пластиковых пакетах, защищающих от пробоя статического электричества. DDR3 имеет функции транзисторов с двойным затвором Dual-gate, что снижает токи утечки. Минимальный размер запоминающего устройства DDR3 - 1 Гб, максимальный - 16 ГБ.

Частота памяти. Она определяет скорость ее действия. Но перед приобретением модуля важно предусмотреть поддержание процессором (1333 и 2133 МГц) материнской платой заданных параметров: от 2000 МГц до 3000 МГц. Узнать частоту памяти того или иного процессора можно на сайте производителя.

Тайминги. Типовая латентность для модуля DDR3 1333 МГц – CL 9, для высокочастотной памяти DDR3 – CL 11. Обычно низкие тайминги стоят дороже, что говорит об высоком уровне техпараметров. Чем меньше задержки между чтением/записью/копированием данных, тем лучше.

Важно знать! Для стабильной работы ноутбука рекомендуется установка одинаковых модулей оперативной памяти.

Отзывы пользователей

Галина Ручняк, 32 года, Ростов-на-Дону

Модуль DDR3 для десктопов (программ, способных записывать ввод данных и подключаться к интернету) подходят к большинству плат, но разница составляет в энергопотреблении и тепловыделении. Производительность DDR3L аналогична DDR3, при условии одинаковой частоты и таймингов. Но если подать на 1.5 на память с 1.35, тогда она будет перегреваться от избытка вольтажа, деградируют микросхемы.

Кстати, недавно смотрела цены материнок на одном популярном сайте и нашла целую статью, что Skylake плохо реагирует на DDR3 - происходит деградация контроллера памяти и ее выход из строя. Для Skylake идеальным вариантом станет LV DDR3 или DDR4.

Инна Крадкова, 27 лет, СПб

У меня ноутбук Асус K56CB, в нем ОЗУ DDR3, 4 Гб в одном из двух слотов, (второй свободен, вероятно). Я решила купить другой бук AcerAspire E3-112, где один слот и модуль DDR3L на 2 Гб. Хотела из Асуса переставить пластину на 4 Гб в Acer, а в ASUS поставить модуль 2 Гб из Acer, а потом добавить еще 1 память на 2 Гб и получится 4, так как двух недостаточно. Это позволило бы мне сэкономить на покупке 4гб планки и приспособить модуль на 2 Гб.
Когда подняла вопрос на одном из форумов, мне объяснили, что 4ГБ DDR3 на ноуте, где была установлена DDR3L, не запустится (ей нужно питание 1.5v, а материнская плата выдаст только 1.35v). DDR3L функционирует и на 1.35v и на 1.5v, она позволяет заменить любую планку.

Людмила Ростова, 31 год, Красноярск

Оперативка DDR3L идеально подходит для устройств, работающих с DDR3. Поэтому я рекомендую смело пользоваться новыми модулями в современных платах. DDR3 стандарт предусмотрен для SPD-устройств (перезаписываемых постоянных запоминающих устройств EEPROM). Исходя из области применения, новые модули могут отличаться маркировкой. Память для ПК обозначается, как PC3L, а для встраиваемых систем служит индикатор EP3L.